 
    主要型(xíng)號:
| 型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 | 
| MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷(lěng) | 
| MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
| MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 | 
主要特點:
   A 可選擇三角波、矩形波、正(zhèng)弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
   B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
   C波形頻率範圍:0.1-50Hz
   D三角波(bō)、矩形波占空比10%~90%
   E 可選擇(zé)手動控製/模擬量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完(wán)善。
該係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並(bìng)且具有抑製靶材弧光放電及抗(kàng)短(duǎn)路功(gōng)能,
具有極(jí)佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要(yào)參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口(kǒu)擴展功(gōng)能,方便實現自動化控製。
主要(yào)用(yòng)途:
MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形輸(shū)出。通(tōng)過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使(shǐ)多弧(hú)輝(huī)光由原(yuán)來的(de)集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質(zhì)量

現在工業區,在範圍上擴(kuò)展的是越來越廣,跟隨我(wǒ)們(men)行業的發展(zhǎn),現在(zài)機械設備(bèi)研發的是越來越多,當然(rán)啦(lā),研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範(fàn)圍上,在數量上都不會少,現在91av來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!

1、在光學儀器中:人們熟悉的光學儀(yí)器有望遠鏡(jìng)、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日常生(shēng)活用品中(zhōng)的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜(mó)有反(fǎn)射膜、增透膜和吸收(shōu)膜等幾種。
2、在信息存儲(chǔ)領域(yù)中:薄膜(mó)材料作為信息記錄於存儲介質,有(yǒu)其得天獨厚的優勢(shì):由於薄膜很薄,可以忽略渦流(liú)損耗;磁(cí)化反轉(zhuǎn)極為迅速;與(yǔ)膜(mó)麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方(fāng)麵:在傳感器中,多采用那些電氣性質相對於物(wù)理量、化(huà)學量及(jí)其(qí)變化來說,極為敏(mǐn)感的半導體材料。此外,其中,大(dà)多數利用的是(shì)半導體的表麵、界(jiè)麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業(yè)化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電(diàn)路製造中:晶體管路中的(de)保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(xiàn)(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術(shù)、真空(kōng)蒸(zhēng)發金屬技術、磁控濺射(shè)技術和射頻(pín)濺射技術。可見,氣相沉積是製備集成電路的核心技術之一。
 
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