浙江（jiāng）MSB中頻磁控（kòng）濺射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的（de）電流型（xíng）開關電（diàn）源技術，減小（xiǎo）輸出儲能元件（jiàn），
同時提高了抑製打火及重啟速度，應用在鋁（lǚ）靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備（bèi）恒流/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式（shì），
更能保證鍍（dù）膜工藝的重複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動（dòng）識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製（zhì）/模擬量接口控製，可選配RS485通訊（xùn）接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使（shǐ）用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件（jiàn），
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製（zhì）係統（tǒng），充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且（qiě）具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有（yǒu）極佳（jiā）的負（fù）載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可（kě）大範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能（néng），方便實現自動（dòng）化控製。

MSB係列雙極脈衝（chōng）磁（cí）控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或（huò）非金屬材料，特別適合於反應磁（cí）控（kòng）濺射。能增加（jiā）離化率，減少電荷積累引起的（de）異常放（fàng）電，預防靶表麵中毒現象。

在真空鍍膜電（diàn）源時（shí），使用直流負偏壓電源，其中運用直流電源，這個電源的電子方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積過高與控（kòng）製（zhì）源中和。也就是說用（yòng）來提供動力的正負極被中（zhōng）和了。然後磁控（kòng）濺射將不再持續（xù）。所（suǒ）以選用脈衝電源（yuán）。

在真空中製備膜層，包含鍍製晶態的金屬、半導體（tǐ）、絕緣體等單質或（huò）化合物膜。雖然化學汽相堆積（jī）也選用減壓、低壓（yā）或等離子（zǐ）體（tǐ）等真空手法，但一（yī）般真空鍍膜是指用物理的辦法堆（duī）積薄膜。真空鍍膜（mó）有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代（dài），四五十年代開端呈現工業使用，工業化大規模出產（chǎn）開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜（mó）是指在真空環境下，將某（mǒu）種金屬或金屬化合物以氣相（xiàng）的方式堆積到資料（liào）外表（通常（cháng）是（shì）非金屬資料），歸於物理氣相堆積工（gōng）藝。由於鍍層常為金屬薄膜，故也稱真（zhēn）空金屬（shǔ）化。廣義的真空鍍膜（mó）還包（bāo）含在金屬或（huò）非金屬（shǔ）資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬（shǔ）功用性薄膜。在所有被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍（dù）膜。相對於金（jīn）屬、陶瓷、木材等資料，塑（sù）料具有來曆充足（zú）、性能易於調控、加工方便等優勢，因（yīn）此品種繁多的塑料或其他（tā）高分子資料作為工程（chéng）裝修性結構資料，大量使用於轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業領域。但（dàn）塑（sù）料資料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低（dī）等缺點，如在塑料外表蒸鍍（dù）一層極薄（báo）的金屬薄膜（mó），即可賦予塑料程亮的金（jīn）屬外觀，合適的金屬（shǔ）源還（hái）可大大（dà）增加資料外表耐磨（mó）性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的（de）功用是多（duō）方麵的，這也決議了其使（shǐ）用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異（yì）的電磁屏（píng）蔽和導電效果（guǒ）。