MSB中頻（pín）磁控濺射真空鍍膜（mó）電源

主要型號（hào）：

主要特點：

   A 采用先進的電流型開關電源技術，減小輸出（chū）儲（chǔ）能元件，
同時提（tí）高（gāo）了抑製打火及重啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功（gōng）率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證（zhèng）鍍膜工藝的重（chóng）複性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽（wěi）打火現象，
充分滿足磁（cí）控濺射（shè）工藝過程的連續性（xìng）。
   D 主要參數可大範圍調節
   E 可選擇手動控製/模擬量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技（jì）術，使用進口IGBT或（huò）MOSFET作（zuò）為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全（quán）、性能穩定可靠，生產工（gōng）藝嚴格完善（shàn）。
該係列產品采用先進的DSP控製係統，充分保證（zhèng）鍍膜工藝的重複性（xìng），
並且具有抑製靶材弧光放電（diàn）及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定（dìng）性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高（gāo）；
PLC接（jiē）口和（hé）RS485接（jiē）口擴（kuò）展功能，方便實現自動化控製。

MSB係列（liè）雙極脈衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特（tè）別適合於反應磁控（kòng）濺射。能增加離化率（lǜ），減少電荷積累引起的（de）異常放電（diàn），預防（fáng）靶表麵（miàn）中毒現象。

在真空（kōng）鍍膜電源時，使用直流負（fù）偏壓電源，其中（zhōng）運用直流電源，這個電源的電子方向一（yī）直統（tǒng）一，會導致單一品種電荷堆積（jī）過高與控製源中和。也就是說用來（lái）提供動力的正負極被中和了。然後磁控濺射（shè）將不（bú）再（zài）持續。所以選用脈衝（chōng）電源（yuán）。

在真空（kōng）中製備膜層（céng），包含鍍製晶態的金屬、半導體、絕（jué）緣體（tǐ）等單質或化合物（wù）膜。雖然化（huà）學汽相堆積也選用減壓、低壓或等離子（zǐ）體等真（zhēn）空手（shǒu）法，但一（yī）般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積（jī）薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射（shè）鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四五十年（nián）代開端呈（chéng）現工（gōng）業使用，工業化大（dà）規模出產開端於20世紀80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指在真空環境下，將某種金（jīn）屬或金屬化合物以氣（qì）相的方式堆積到資料（liào）外表（通常（cháng）是非金屬資料（liào）），歸於物（wù）理氣相堆積工藝。由於鍍（dù）層常為金（jīn）屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜（mó）還包含在金屬或非金（jīn）屬資料外表真空（kōng）蒸鍍聚合物等非金屬（shǔ）功用性薄膜（mó）。在所有被（bèi）鍍資（zī）猜中，以塑料樶（zuī）為（wéi）常見，其次，為紙張鍍膜。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充（chōng）足、性能易於調控、加工方便等優勢，因此品種繁多（duō）的塑（sù）料或（huò）其他高分子（zǐ）資料作為工程裝（zhuāng）修性（xìng）結構資料（liào），大量使用於轎（jiào）車、家電、日（rì）用包裝、工藝裝修等工業領域。但塑料資料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨（mó）性低等缺（quē）點，如在塑料外（wài）表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜（mó），即可賦予塑（sù）料程亮的（de）金屬外觀，合適的金屬源（yuán）還可大大增加資料外表耐磨性能（néng），大大拓寬了塑料的裝修性和使用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵的，這也決議了其使用場合非（fēi）常豐富。整（zhěng）體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層（céng）具（jù）有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。