 
    主要型號:
| 型號 | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電(diàn)流(A) | 外形(xíng)尺寸 | 冷卻(què)方式(shì) | 
| MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 | 
| MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
| MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 | 
主要特點:
   A 可選擇三角(jiǎo)波、矩形波、正弦(xián)波三種波形,波(bō)形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
   B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
   C波形(xíng)頻率範圍:0.1-50Hz
   D三角波、矩形(xíng)波(bō)占(zhàn)空比10%~90%
   E 可選擇(zé)手動控製/模擬(nǐ)量接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈(mò)寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功(gōng)率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可(kě)靠,生產工藝嚴格完善。
該係(xì)列產品采用先(xiān)進(jìn)的DSP控製係統,充(chōng)分保證(zhèng)鍍膜工藝的(de)重(chóng)複性(xìng),
並且具有抑製靶材(cái)弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又(yòu)提高了靶麵(miàn)清洗速(sù)度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口(kǒu)和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源選擇多種電壓波形(xíng)輸出。通過驅動多弧靶外圍磁場線圈,產生(shēng)周期性可變磁磁場,使多弧(hú)輝光由原來的集(jí)中(zhōng)放電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現在工業區(qū),在範圍上擴展的(de)是(shì)越來越廣,跟隨91av行業(yè)的發展,現在機(jī)械設備研發的是越來越多,當然啦(lā),研發那(nà)麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到(dào)的啦(lā),在範圍上,在(zài)數(shù)量上都不(bú)會少,現在91av來了(le)解下(xià)真空鍍膜電源這項(xiàng)項目吧!

1、在光學儀器(qì)中:人們熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日(rì)常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都(dōu)離不開鍍膜技術(shù),鍍製(zhì)的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲領域(yù)中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介質,有其得天獨(dú)厚的優勢:由於薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化(huà)反轉極為迅(xùn)速;與膜(mó)麵平行的雙穩態狀態容易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感(gǎn)器(qì)中,多采用那些(xiē)電氣性質相(xiàng)對於物理量、化學量及其變化來說,極為敏感的(de)半導體材料。此(cǐ)外,其中,大多數(shù)利用的是半(bàn)導(dǎo)體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格(gé)製作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集(jí)成電路製造中:晶體管路中的(de)保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(xiàn)(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技(jì)術、真空(kōng)蒸發金屬技術、磁控濺射(shè)技術(shù)和射頻濺射技術。可見,氣相沉(chén)積是製備集成電路的核心技術(shù)之一。
 
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