武漢ISP離子源電源

主要型號：

主要特點：
   A具有行動穩定電壓功（gōng）能，具有理想的電壓陡降特性，有效抑製離子源源頭表麵打火。
   B 直流疊加脈衝輸出（chū），峰值可達2000V。
   C 頻率40kHz，占空比45%~90%。
   D 可選擇手動控製/模擬（nǐ）量接口控製，可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使（shǐ）用（yòng）進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可（kě）靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的（de）DSP控（kòng）製係統，充分保證鍍膜工藝的重複性，
並且具有抑（yì）製靶材弧光放電及抗短（duǎn）路（lù）功能，具
有極佳的（de）負載匹配能力，既保證了靶麵清洗（xǐ）工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參數均可大範圍連續調（diào）節；
方便維護，可（kě）靠性高；
PLC接口和RS485接（jiē）口擴展功能，方便實現自動化控製。

主要用途（tú）：

ISP離子源電（diàn）源適用於陽極層離子源驅動電源。

隨著電力電子技術的高速發展，電子設備與人們的工作、生活關係日益密切，而電子設（shè）備都離不開可靠的電源。作為設備製造領域必不可少的電子元器件之一，大功率開關電源廠家的開關電源技術（shù）隨著電力電子技術的發展和創新而在不斷創新。目前，市場上存在的開關電源種類繁多，開關電源廠家更是不計其數，隨著設備製（zhì）造商對電源開關種類的多樣化需求，開關電源製造商在不（bú）斷生（shēng）產出更多（duō）種類的開關電源。現在計（jì）算機、通訊、電子設備以及家用電器設備等多種領域（yù）都（dōu）在（zài）廣泛的使用開關（guān）電源，這些領域設備更新迅速，產品淘汰率高，所需的開關電源種類（lèi）總在不斷更替，更加促進了開關電源市場的迅猛發展。

在信息（xī）存儲領域中：薄膜材料作為信息記錄於存儲介質，有其得天獨厚的優勢：由於薄膜很薄，可以忽略渦流損（sǔn）耗；磁（cí）化反轉極為迅速；與膜麵平行的雙穩態狀態容易保（bǎo）持等。為了更精密（mì）地記錄與存儲信息（xī），必然要采用鍍膜技術。

在集成電路製造中：晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶矽、鋁、銅及其合金）等（děng），多是（shì）采用（yòng）CVD技術、PVCD技術、真空蒸發金（jīn）屬（shǔ）技（jì）術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見，氣（qì）相沉積是製備集成電路的（de）核心技術之一。

電源作（zuò）為各種電（diàn）子（zǐ）設備不可獲取的（de）組成（chéng）部分，其性能（néng）優劣直接關係到電（diàn）子設備的技術指標級能（néng）否安（ān）全可（kě）靠。如今的開關電源（yuán）由於本身低能量消耗和較高的電源效率而取代了早期效率（lǜ）低、耗（hào）能高的線性電源，被廣泛用於電子計算機、通訊、家電（diàn）等各個行業（yè），被譽為高效節能型電源。