 
    主要型號:
| 型(xíng)號 | 功率(lǜ)(W) | 工作電壓(V) | 蕞(zuì)大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 | 
| MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 | 
| MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
| MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 | 
主要特點:
   A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形(xíng),波(bō)形的蕞高值和蕞低值可獨立設置。
   B輸出電壓範圍(wéi):-40V~+40V。
   C波形頻率範圍:0.1-50Hz
   D三角波、矩形波占空比10%~90%
   E 可選擇手動控製/模擬量(liàng)接口控製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩定可靠,生產工藝嚴格完善(shàn)。
該係列產品采用先進的DSP控(kòng)製係統,充分保證鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能(néng),
具有極佳的負(fù)載匹配(pèi)能力,既保證了靶(bǎ)麵清洗工藝(yì)的穩定性,又提高(gāo)了靶麵清洗速度;
主要參(cān)數均(jun1)可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口(kǒu)和RS485接口擴展功能,方便實現自動化控製。
主要用途:
MS係列勵磁多波形電源選擇多種(zhǒng)電壓波形輸出。通過驅動(dòng)多弧靶外圍(wéi)磁場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放電變為均勻放電,提高工件膜層質量

現在工業區,在範圍(wéi)上擴展的是越來(lái)越廣,跟(gēn)隨91av行(háng)業(yè)的發展,現在機械設備研發的是越來越多,當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應(yīng)用到的啦,在(zài)範圍上,在數量上(shàng)都不會少,現在91av來了解下真空鍍膜電源這項項目吧(ba)!

1、在光學儀器中:人們(men)熟悉的光學儀器有望遠鏡、顯微(wēi)鏡、照相機、測距儀,以及日常生活用品(pǐn)中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存(cún)儲領域中:薄(báo)膜材(cái)料作為信(xìn)息記錄(lù)於存儲介質,有其(qí)得天獨厚的優勢:由(yóu)於薄(báo)膜很薄,可以忽略(luè)渦流損耗;磁化反轉(zhuǎn)極為迅速;與膜(mó)麵平行的雙穩態狀態容(róng)易保持等。為了更精密地記錄與存儲信息,必(bì)然要采用鍍膜技術。
3、在傳感器方麵:在傳感器中(zhōng),多采用那些(xiē)電氣性質相對於物理量(liàng)、化學量及其變化來說,極(jí)為敏感的半導體材料(liào)。此外,其中,大多數利用的是半導體(tǐ)的表麵、界麵的性(xìng)質,需要盡量(liàng)增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此,采用薄膜的情況很多(duō)。
4、在集成電路製造中:晶體(tǐ)管路中(zhōng)的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶矽、鋁、銅(tóng)及其合金)等(děng),多是采用CVD技(jì)術、PVCD技術、真空蒸發金屬技(jì)術、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技(jì)術。可見,氣相沉積是(shì)製備集成電(diàn)路的(de)核心技術之一。
 
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