說(shuō)起單極脈衝磁控濺射電源,可能有點(diǎn)困惑,但我想說(shuō)的是,它是對直流(liú)磁控濺射電源的升級,是不是突然(rán)明白了?脈衝磁控濺射是用(yòng)矩形波電壓(yā)脈衝電源代替傳統直流電源的一(yī)種方法。脈衝濺射可以有效地抑製電弧的產生,消除由此產生的薄膜缺陷,同時可以提(tí)高濺射的沉積(jī)速率,降低沉積溫度等(děng)一係列顯著優點,是濺射絕緣材料沉積的精選工藝。一個周期有正電(diàn)壓和負電壓兩個階(jiē)段(duàn),在負電壓段中,電源作用於靶材的濺射,正電壓段(duàn)將電子積累(lèi)的正電荷引入靶(bǎ)材表麵,使表麵清潔,露出金屬表麵(miàn)。施(shī)加在靶材上的脈衝電壓與一(yī)般磁控濺射的脈衝電壓相同(tóng)!對於400~500V,電源頻率在10~350KHz,在(zài)保證穩定(dìng)放電(diàn)的前提下,應(yīng)盡可能低地取(qǔ)頻率#因為等離子體中的電子相對於離子具有更高的遷(qiān)移(yí)率,所以正電壓值隻需要是負電壓(yā)的(de)10%到20%,就可以有效地中和積聚在靶表麵的(de)正電荷。占空比(bǐ)的選擇確保(bǎo)了濺射過程中靶表麵(miàn)積累(lèi)的電荷在正(zhèng)電壓階(jiē)段可以完全被中和,從而盡(jìn)可能地提高占空比,以實(shí)現電源的較大效率。
單極(jí)脈衝磁控濺射電源的(de)優點是,它(tā)可以有效地抑製(zhì)電弧的(de)產生,消除由此產生的薄膜缺陷,同(tóng)時可(kě)以提高濺射(shè)的沉積速率,降低(dī)沉積溫(wēn)度等一係列顯著優點,是(shì)沉積濺(jiàn)射絕緣材(cái)料的較佳工藝
