 
    主要型號:
| 型號 | 功(gōng)率(kW) | 工作電壓(V) | 最 大工作電流(A) | 主機外形尺(chǐ)寸 | 升壓轉換器外形尺寸 | 冷卻 方(fāng)式 | 
| HVB-5kV1A | 5 | 5kV | 1A | 480*243*565 (WHD) | 220*230*400 (WHD) | 風冷(lěng) | 
| HVB-5kV2A | 10 | 5kV | 2A | |||
| HVB-5kV4A | 20 | 5kV | 4A | 
主要特點:
   A 采用(yòng)先進的電(diàn)流型開關電源技術,減小(xiǎo)輸出儲能元件,
同時提(tí)高了抑製打火及重啟速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具有(yǒu)理想的電壓陡降特性,自動(dòng)識別偽打火(huǒ)現象,
充分滿足轟擊清洗過程的連續性。
   D 主要參數可大範圍調節。
   E 可選擇手動控製/模擬量(liàng)接口控製,可選(xuǎn)配RS485通(tōng)訊(xùn)接口。
采用先進的PWM脈(mò)寬調(diào)製技(jì)術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器(qì)件,
體(tǐ)積小(xiǎo)、重量輕、功能(néng)全(quán)、性能穩定可靠,生產工藝嚴格(gé)完善(shàn)。
該係列產品采用先進的DSP控製係(xì)統,充分(fèn)保證鍍膜工藝(yì)的重複性(xìng),
並且具(jù)有抑製(zhì)靶材弧光放電及抗短路功能,
具有(yǒu)極佳的負載匹配能力(lì),既保證了靶麵清洗工藝的(de)穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便(biàn)維(wéi)護(hù),可靠性高;
PLC接口和RS485接(jiē)口擴展功能,方便實現自(zì)動化控製。
主要用途:
MSB高壓雙極(jí)清洗電源適用於工(gōng)件鍍膜前的高壓轟擊清洗和鍍矽油保護膜。
在高技術產(chǎn)業化的(de)發展中(zhōng)展(zhǎn)現出誘人的市(shì)場前景。這種的真空(kōng)鍍膜技術已在國民經濟(jì)各(gè)個領域得到應用。真空鍍膜技術是(shì)真空(kōng)應用(yòng)技術的一個重要分支,它已廣泛地應 用於(yú)光(guāng)學(xué)、電子學、能源開發、理化(huà)儀器、建築機械(xiè)、包裝(zhuāng)、民用製(zhì)品、表麵(miàn)科學以及科學研(yán)究等(děng)領域中。真空(kōng)鍍膜所采用的方法主要有蒸發鍍.濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。這種真(zhēn)空鍍膜(mó)電源優勢會體現的比較明顯。

選用了領(lǐng)先的PWM脈寬調製(zhì)技術,具有傑出的動態特性和抗幹擾才能,動態呼應時刻小於10mS。規劃有電壓、電流雙閉環(huán)操控電路,可實時對輸出電壓電流的操控,能有用處理濺射過程中陰極靶麵的(de)不清潔(jié)導致弧光放電造成大(dà)電流衝擊導致電源的損壞疑問。選(xuǎn)用數字化DSP操控技術,主動操控電源的恒壓恒流狀況。在起(qǐ)弧(hú)和維弧時能主動疾速操(cāo)控電壓電流使起弧和維弧作業更安穩。
真空室裏的堆積條件跟著時刻發作改動是常見的表象。在一輪運轉過中,蒸發源的特性會(huì)跟著膜材的耗費而改動,尤其是規劃中觸及多層鍍膜時,假如技術進程需繼續數個小時,真空(kōng)室的熱梯度也會上升。一起,當真(zhēn)空(kōng)室內壁發作堆積變髒時,不一樣次序的工(gōng)效逐(zhú)步發生區別。這些要素雖然是漸(jiàn)進的並可以進行抵償,但仍然大(dà)概將其視為體係公役的(de)一部分。